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       科学家证实：非侵入性磁刺激可消除负面记忆科学背后是严谨的假设求证，需要经年累月尝试实验，艺术却有无限的想像空间。「消除负面记忆」是人们一直希望达成却又害怕的事，不少科幻作品多有想像描述；而在现实生活，利用基因编辑、注射药剂等方式消除令人痛苦的回忆，也开始成为众多研究人员的著手点。

       义大利博洛尼亚大学的研究人员提出假设：以非侵入性方式，以磁刺激大脑特定部位，消除负面记忆。7 月30 日，实验成果发表于学术期刊《当代生物学》（Current Biology），论文题为《State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear》（经前额叶皮质的状态相依性磁刺激干扰恐惧记忆重建，防止恐惧情绪返回）。